市场空间巨大 斯达半导再度加码碳化硅功率芯片布局

继上次宣布重磅投资不足3个月，国内IGBT(绝缘栅双极型晶体管)龙头企业斯达半导再度加码碳化硅功率芯片布局。3月3日，斯达半导收跌5.03%，报237.6元。

3月2日晚间，斯达半导公告披露了2021年度非公开发行A股股票预案，公司拟非公开发行股票募集资金总额不超过35亿元，不超过1600万股。募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高压特色工艺功率芯片和SiC(碳化硅)芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目和补充流动资金。

公告显示，此次定增募集的35亿元资金，有20亿元将用于高压特色工艺功率芯片和SiC研发及产业化项目。项目达产后，预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。斯达半导称，该项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

这并不是斯达半导首次布局碳化硅功率芯片。去年12月18日，斯达半导公告称，公司拟投资22947万元建设全碳化硅功率模组产业化项目，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。

IHS数据显示，2019年斯达半导在全球IGBT模块市场排名第8，是唯一进入前10的中国企业。财报显示，近年来公司IGBT模块营收占比均在98%以上，2016至2019年，公司分别实现营收3.01亿元、4.38亿元、6.75亿元、7.79亿元，年均复合增速37.30%，归母净利润分别为0.21亿元、0.53亿元、0.97亿元、1.35亿元，年均复合增速85.94%。去年前三季度实现营收6.68亿元，同比增长18.14%，归母净利润1.34亿元，同比增长29.44%。

公司近期多次加码布局碳化硅功率芯片，与当前蓬勃发展的新能源汽车市场不无关系。斯达半导称，中国是全球最大的功率半导体市场，在“新基建”的产业环境下，5G、新能源汽车、数据中心、工业控制等诸多产业对功率半导体产生了巨大需求。碳化硅功率模组作为第三代半导体功率器件，其高温、高效和高频特性是实现新能源汽车电机控制器功率密度和效率提升的关键要素。汽车级碳化硅功率模组的市场需求将在新能源汽车市场带动下实现快速增长，市场空间巨大。

记者了解到，采埃孚、博世等多家零部件制造商以及特斯拉、比亚迪等车企早已宣布在其部分产品中采用SiC　MOSFET方案。根据Yole数据，到2025年新能源汽车用SiC功率器件市场规模将达到15.5亿美元，2019-2025年复合增速38%。国盛证券称，车用SiC黄金十年即将开启。华西证券指出，此次斯达半导通过此次定增项目有望突破IGBT、SiC模块产能瓶颈，提升市占率。

根据相关法律法规要求，申请非公开发行股票事项需披露公司最近五年被证券监管部门和交易所处罚或采取监管措施的情况。斯达半导称，2019年7月5日，公司收到证监会警示函，证监会就公司申请首次公开发行股票并上市过程中，财务核算不规范、信息披露不准确等问题采取出具警示函的行政监督管理措施，公司已及时对有关事项进行纠正。